Samsung Electronics Polska dział Memory wprowadza do sprzedaży dwie serie dysków sieciowych Data Center SSD
Do dystrybucji w Polsce trafiły dyski serwerowe z linii Samsung Data Center SSD. To seria zaprojektowana z myślą o najbardziej wymagających zastosowaniach biznesowych i cechująca się wysoką wydajnością. Nośniki z dwóch wiodących serii koreańskiego producenta: PM893 oraz PM9A3 są już dostępne na polskim rynku.
Seria PM893 to dyski oparte na technologii SATA w formacie 2.5”. Nośniki dostępne są w pojemnościach od 240GB do 7,68TB. Cechuje je sekwencyjna prędkość odczytu do 550 MB/s i zapisu do 520 MB/s. Urządzenia wyróżnia również wysoka wydajność energetyczna oraz system kompleksowej ochrony danych.
Seria PM9A3 oferuje nośniki półprzewodnikowe, bazujące na interfejsie PCIe®4.0, które zapewniają prędkość zapisu do 4 000/MB/s oraz do 6 900 MB/s sekwencyjnego odczytu. To produkty stworzone z myślą o wiodących centrach danych, wymagających najwyższej wydajności podczas przetwarzania plików. W Polsce nośniki z serii PM9A3 dostępne są w wariantach od 960GB do 7,68TB, w formacie 2,5”.
– Rozpoczęcie sprzedaży przez Samsung Electronics Polska dysków Data Center SSD to dla nas bardzo ważne wydarzenie. Po pierwsze chcemy zaadresować istotny produktowo i rosnący segment pamięci serwerowych, a po drugie zintensyfikować nasz rozwój w kanale B2B na rynku Polskim i w regionie CEE. Jednocześnie do naszego zespołu dołączył Marcin Szymanik, który dzięki swojemu doświadczeniu w branży memory rozwijać będzie sprzedaż produktów Samsung w szeroko rozumianym sektorze B2B – powiedział Maciej Kamiński, Dyrektor Dywizji Memory w Polsce i CEE.
Polskimi dystrybutorami rozwiązań są TD Synnex oraz AB S.A. Dyski sieciowe z linii Samsung Data Center SSD znajdą zastosowanie nie tylko w centrach danych, czy dużych serwerach, ale również w mniejszych sieciach serwerowych, instalowanych w instytucjach publicznych, bankach czy prywatnych firmach.
Więcej informacji na temat wprowadzonych do oferty produktów można znaleźć na: https://www.samsung.com/pl/memory-storage/dyski-ssd-data-center/
Specyfikacja techniczna
| Samsung SSD PM893 | |||||||||||||||||||||
| Zastosowanie | Data Center, Serwer | ||||||||||||||||||||
| Interfejs | SATA 6 Gb/s , kompatybilny z interfejsami SATA 3 Gb/s & 1.5 i | ||||||||||||||||||||
| Informacje | Pojemność[1] | 240GB | 480GB | 960GB | 1.92TB | 3.84TB | 7.68TB | ||||||||||||||
| Kontroler | Samsung in-house Controller | ||||||||||||||||||||
| NAND Flash Memory | Samsung V-NAND TLC | ||||||||||||||||||||
| Wymiary | 100.20x 69.85x 7.0(mm) | ||||||||||||||||||||
| Format | 2.5 cala | ||||||||||||||||||||
| Wydajność
(Do.)[2] | Prędkość odczytu sekwencyjnego | 550 MB/s | |||||||||||||||||||
| Prędkość zapisu sekwencyjnego[3] | 380 MB/s | 520 MB/s | 520 MB/s | 520 MB/s | 520 MB/s | 520 MB/s | |||||||||||||||
| 4KB Odczyt losowy (QD32) | 98K IOPS | ||||||||||||||||||||
| 4KB Zapis losowy (QD32) | 15K IOPS | 29K IOPS | 30K IOPS | 30K IOPS | 30K IOPS | 30K IOPS | |||||||||||||||
| Pobór mocy [3] | Idle | DIPM off | 1.5 W | 1.5 W | 1.5 W | 1.5 W | 1.5 W | 1.5 W | |||||||||||||
| Średni pobór mocy (aktywny) | Odczyt/Zapis | 2.1/2.7W | 2.1/3.2W | 2.2/3.2W | 2.2/3.2W | 2.2/3.2W | 2.2/3.2W | ||||||||||||||
| Odporność [4] | Temperatura | Temperatura pracy | 0°C do 70°C | ||||||||||||||||||
| Temperatura przechowywania | -40°C do 85°C | ||||||||||||||||||||
| Wilgotność | 5% do 95% bez kondensacji | ||||||||||||||||||||
| Odporność na wstrząsy | Nie posiada | 1,500G / 0.5ms, 3 axis | |||||||||||||||||||
| Wibracje | Nie posiada | 20~2,000Hz, 20G | |||||||||||||||||||
| MTBF | 2.0 mln godzin | ||||||||||||||||||||
| Gwarancja | TBW[5] | 438TB | 876TB | 1,752TB | 3,504TB | 7,008TB | 14,016TB | ||||||||||||||
| Okres gwarancji[6] | Ograniczona 5-letnia | ||||||||||||||||||||
| Funkcje specjalne | TRIM (Required OS support), Garbage Collection, S.M.A.R.T | ||||||||||||||||||||
| Szyfrowanie | AES 256-bit Full Disk Encryption, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667) | ||||||||||||||||||||
| Samsung SSD PM9A3 | ||||||||||||||||||
| Zastosowanie | Data Center, Server | |||||||||||||||||
| Interfejs | PCIe Express Gen4 x4, NVMe 1.4 | |||||||||||||||||
| Informacje | Pojemność[1]
| 960GB | 1.92TB | 3.84TB | 7.68TB | |||||||||||||
| Kontroler | Samsung in-house Controller | |||||||||||||||||
| NAND Flash Memory | Samsung V-NAND TLC | |||||||||||||||||
| Wymiary | 100.20x 69.85x 7.0(mm) | |||||||||||||||||
| Format | 2.5 inch U.2 | |||||||||||||||||
| Wydajność
(Do.)[2] | Prędkość odczytu sekwencyjnego | 6,500 MB/s | 6,800 MB/s | 6,900 MB/s | 6,700 MB/s | |||||||||||||
| Prędkość zapisu sekwencyjnego [3] | 1,500 MB/s | 2,700 MB/s | 4,100 MB/s | 4,000 MB/s | ||||||||||||||
| 4KB Odczyt losowy (QD32) | 580 KIOPS | 850 KIOPS | 1,000 KIOPS | 1,100 KIOPS | ||||||||||||||
| 4KB Zapis losowy(QD32) | 70 KIOPS | 130 KIOPS | 180 KIOPS | 200 KIOPS | ||||||||||||||
| Średni pobór mocy [3] | Idle | DIPM off | 3.5 W | 3.5 W | 3.5 W | 3.5 W | ||||||||||||
| Średni pobór mocy (aktywny) | Read/Write | 9.5/8.0W | 10.0/12.5W | 11.0/13.5W | 11.0/13.5W | |||||||||||||
| Odporność[4] | Temp. | Operating | 0°C to 70°C | |||||||||||||||
| Non-Operating | -40°C to 85°C | |||||||||||||||||
| Wilgotność | 5% to 95% non-condensing | |||||||||||||||||
| Odporność na wstrząsy | Nie posiada | 1,500G, duration: 0.5ms, 3 axis | ||||||||||||||||
| Wibracje | Nie posiada | 20~2,000Hz, 20G | ||||||||||||||||
| MTBF | 2.0 million hours | |||||||||||||||||
| Gwarancja | TBW[5] | 1,752TB | 3,504TB | 7,008TB | 14,016TB | |||||||||||||
| Okres gwarancji[6] | 5 year limited | |||||||||||||||||
| Funkcje specjalne | TRIM (Required OS support), Garbage Collection, S.M.A.R.T | |||||||||||||||||
| Szyfrowanie | AES 256-bit Full Disk Encryption, TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive(IEEE1667) | |||||||||||||||||
[1] GB: 1 GB = 1 000 000 000 bajtów. Pewna część pojemności może być wykorzystana do plików systemowych i konserwacji, dlatego rzeczywista dostępna pojemność może różnić się od całkowitej pojemności podanej na etykiecie.
[2] Pomiary wydajności oparte są na FIO 2.7 z głębokością kolejki 32, portem Z170 Intel SATA 6G. Pomiary wykonywane są na całym zakresie LBA. Pamięć podręczna zapisu włączona. Rzeczywista wydajność może się różnić w zależności od warunków użytkowania i otoczenia
[3] Aktywna moc odczytu jest mierzona przy losowym odczycie 4 KB. Moc aktywnego zapisu jest mierzona przy losowym zapisie 4 KB.
[4] Wszystkie udokumentowane wyniki testów wytrzymałościowych uzyskano zgodnie z normami JESD218. Szczegółowe informacje na temat standardów JESD218 można znaleźć na stronie www.jedec.org
[5] TBW oznacza całkowitą liczbę zapisanych bajtów.
[6] Proszę zapoznać się ze szczegółowym oświadczeniem gwarancyjnym pod adresem http://samsung.com/samsungssd. Gwarancja obejmuje podany okres czasu lub TBW, w zależności od tego, co nastąpi wcześniej
: